Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Trench MOS Schottky technology\n Low forward voltage drop, low power losses\n High efficiency operation\n\n ;

Vishay

威世

整流器 20A,60V,DUAL TRENCH SKY RECT.

Vishay

威世

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division