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VT3045C	文件：125.2 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoI	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VT3045CBP	文件：122.62 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT3045CBP	文件：137.11 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT3045CBP_V01	文件：137.11 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT3045CBP-M3-4W	文件：122.62 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT3045CHM3	文件：139.07 Kbytes Page：6 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoI	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VT3045C-M3	文件：139.07 Kbytes Page：6 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoI	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VT3045CBP_15	文件：126.92 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VT3045CBP-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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详细参数

型号：
VT3045C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VT3045C供应商更新时间2024-4-28 16:00:00

详细参数

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