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VT2080C	文件：130.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C	文件：148.69 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C	文件：163.74 Kbytes Page：6 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C-E3	文件：158.85 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C-E3	文件：204.62 Kbytes Page：6 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C-E3_V01	文件：204.62 Kbytes Page：6 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080CHM3-4W	文件：130.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C-M3-4W	文件：130.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C_12	文件：148.69 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C_15	文件：135.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
VT2080C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	VT2080C-E3/4W存储IC	VISHAY/威世	23+	TO220AB	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	VT2080C-E3	VIS	23+	TO-220AB	6000	原装正品，支持实单	询价

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