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VT3060G-M3-4W	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum 文件：131.009 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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VIT3060G-M3-4W	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Not recommended for PCB bottom side wave mounting • Solder bath temperature 275 °C maximum 文件：131.009 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VT3508AM-ADJ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-5L	VT 上传：深圳市美福微科技有限公司	VT
VT8606	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	VIA 威盛电子上传：深圳市讯运电子有限公司	VIA

更多VT3060G-M3-4W供应商更新时间2025-11-30 10:31:00