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VT3060G-M3-4W	文件：131.009 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VT3060G-M3-4W

文件：131.009 Kbytes

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting •Solderbathtemperature275°Cmaximum

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详细参数

型号：
VT3060G-M3-4W
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宝芯创电子有限公司	VT-3060S	TRONSON	1736+	SOP	15238	原厂优势渠道	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	VT30650	VIA	23+	QFP	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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更多VT3060G-M3-4W供应商更新时间2025-7-24 14:15:00

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