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VT2060C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:173.52 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VT2060C-E3/4W

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

MI2060C-E3/4W

Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

文件:97.91 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

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VBT2060C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VFT2060C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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产品属性

  • 产品编号:

    VT2060C-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

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更多VT2060C-E3/4W供应商 更新时间2025-10-4 10:31:00