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VT2	文件：300 bytes Page：1 Pages	液位传感器;	CarloCarlo Gavazzi Holding AG 佳乐	Carlo
VT2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：传感器，变送器浮子，液位传感器描述：LVL SEN COND 2 PROBE PTFE	Carlo Gavazzi Inc. Carlo Gavazzi Inc.	Carlo Gavazzi Inc.
VT200	文件：1.24081 Mbytes Page：76 Pages	Photoconductive Cells and Analog Optoisolators (Vactrols) CustomandSemi-CustomDevices Uponrequest,andwheresufficientquantitiesareinvolved,PerkinElmerOptoelectronicswillteststandardpartstoyouruniquesetofspecifications.Theadvantageoftestingpartsunderactualoperatingconditionsispredictableperformanceintheapplication. Pe	PerkinElmer PerkinElmer Optoelectronics	PerkinElmer
VT2045BP	文件：114.62 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2045BP	文件：109.22 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2045BP_V01	文件：109.22 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2045BP-M3/4W	文件：114.62 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2045BP-M3SLASH4W	文件：114.62 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2045C	文件：124.86 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2045C	文件：142.44 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
VT2
制造商：
Carlo Gavazzi Inc.
类别：
传感器，变送器 > 浮子，液位传感器
系列：
VT
包装：
散装
类型：
液体
输出类型：
继电器
安装类型：
有螺纹
材料 - 壳体和棱柱：
聚四氟乙烯（PTFE）
工作温度：
0°C ~ 145°C
描述：
LVL SEN COND 2 PROBE PTFE

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