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VT2045C_V01	文件：142.44 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：142.44 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多VT2045C_V01供应商更新时间2025-10-4 11:10:00