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VSP007N06MS

N-Channel Mosfet

• N-Channel\n• Enhancement mode\n• Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V \n• Fast Switching\n●100% Avalanche Tested \n• Pb-free lead plating, RoHS compliant;

Vergiga

威兆半导体

VSP007N06MS-G

MOSFET

N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、开关电源、马达驱动等领域。 1.VitoMOSⅡ 技术\n2.极低的Qg\n3.更低的导通损耗和开关损耗\n4.100%雪崩测试\n5.无铅电镀;符合 RoHS 标准;

Vergiga

威兆半导体

VSP007N06MS-K

MOSFET

Vergiga

威兆半导体

007N06N

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.24321 Mbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IPT007N06N

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.24321 Mbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • Type:

    Single-N

  • ESD:

    NO

  • Package:

    PDFN5x6

  • BVDSS[V]:

    60

  • VGS Max[V]:

    20

  • VTH Typ[V]:

    1.6

  • RDS(ON) Max 10V:

    7.0

  • RDS(ON) Max 4.5V:

    9.0

  • ID(A)@25℃:

    85.0

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VANGUARD/威兆
20+
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120000
原装正品 可含税交易
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HAMOS/汉姆
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全新原装正品现货,支持订货
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全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
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VANGUARD/威兆
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HAMOS/汉姆
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全新原装现货
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VANGUARD/威兆
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DFN5060-8
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国产
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Vanguard(威兆)
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105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
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更多VSP007N06MS供应商 更新时间2026-4-17 10:02:00