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VSP007N06MS-G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、开关电源、马达驱动等领域。 1.VitoMOSⅡ 技术\n2.极低的Qg\n3.更低的导通损耗和开关损耗\n4.100%雪崩测试\n5.无铅电镀；符合 RoHS 标准;	Vergiga 威兆半导体	Vergiga
007N06N	文件：1.24321 Mbytes Page：12 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.24321 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPT007N06N	文件：1.24321 Mbytes Page：12 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.24321 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
VSR5A	文件：0 bytes Page：0 Pages	VIT	VIT 上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	VIT
VSSA310S-M3/61T	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 DO-214AC	VISHAY/威世上传：深圳市星宇佳科技有限公司	VISHAY/威世

技术参数

BVDSS[V]：
65.00
bVGS[V]：
20.00
vth_min：
1.30
vth_max：
2.50
ID[A]：
75.00
PD[W]：
45.00
RDS (on) Typ[mR]@10V：
4.50
RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
7.00
RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
Ciss：
1950.00
Coss：
840.00
Crss：
35.00
Qg(10V)[nC]：
30.00
Qg(4.5V)[nC]：
14.00
Package：
PDFN5X6
Technology：
SGT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中远芯科技有限公司	VSP007N06MS-G	VS	23+	PDFN5*6	2888	原装热卖现货	询价
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更多VSP007N06MS-G供应商更新时间2025-10-8 9:20:00

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