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VSP009N15HS-G

MOSFET

N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、开关电源、逆变、电池保护等领域。 1.VitoMOSⅡ 技术\n2.极低的Qg\n3.100% 雪崩测试;

Vergiga

威兆半导体

VSR5A

VIT

VIT

VSSA310S-M3/61T

VISHAY/威世
DO-214AC

VISHAY/威世

VSSAF3M10HM3/H

vishay
DO-221AC-2

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

VST10/9EE-202S2P4

TDK
SMD

技术参数

  • BVDSS[V]:

    150.00

  • bVGS[V]:

    25.00

  • vth_min:

    2.60

  • vth_max:

    3.60

  • ID[A]:

    60.00

  • PD[W]:

    125.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V:

    9.50

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V:

    0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V:

    0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V:

    0.00

  • Ciss:

    4360.00

  • Coss:

    340.00

  • Crss:

    10.00

  • Qg(10V)[nC]:

    56.00

  • Qg(4.5V)[nC]:

    0.00

  • Package:

    PDFN5060X

  • Technology:

    SGT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VS
23+
PDFN5060X
21000
原装热卖现货
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威兆
两年内
NA
6910
实单价格可谈
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NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
986966
国产
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VANGUARD/威兆
2511
PDFN5060X
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更多VSP009N15HS-G供应商 更新时间2025-10-8 14:26:00