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VSP009N15HS-G中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VSP009N15HS-G规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、开关电源、逆变、电池保护等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.100% 雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
：VSP009N15HS-G
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：150.00
- bVGS[V]
：25.00
- vth_min
：2.60
- vth_max
：3.60
- ID[A]
：60.00
- PD[W]
：125.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：9.50
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：4360.00
- Coss
：340.00
- Crss
：10.00
- Qg(10V)[nC]
：56.00
- Qg(4.5V)[nC]
：0.00
- Package
：PDFN5060X
- Technology
：SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
4250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
TI |
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BGA |
20000 |
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TI |
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BGA |
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BGA |
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BGA |
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PDFN5060X |
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