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VSP009N06MS-G中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VSP009N06MS-G规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充和无线充等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试
5.无铅电镀；符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：VSP009N06MS-G
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：60.00
- BVGS[V]
：20.00
- Vth[V]_min
：2.60
- Vth[V]_max
：3.60
- ID[A]
：55.00
- RDS (on) Typ[Ω]@10V
：7.50
- RDS (on) Typ[Ω]@4.5V
：12.50
- RDS (on) Typ[Ω]@2.5V
：-
- RDS (on) Typ[Ω]@1.8V
：-
- Ciss
：1170.00
- Coss
：585.00
- Crss
：20.00
- Package
：PDFN5X6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VANGUARD/威兆 |
2511 |
PDFN5X6 |
360000 |
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TI/德州仪器 |
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