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VSP009N06MS-G数据手册Vergiga中文资料规格书

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厂商型号

VSP009N06MS-G

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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VSP009N06MS-G规格书详情

描述 Description

N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充和无线充等领域。

特性 Features

1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试
5.无铅电镀;符合 RoHS 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :VSP009N06MS-G

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :60.00

  • BVGS[V]

    :20.00

  • Vth[V]_min

    :2.60

  • Vth[V]_max

    :3.60

  • ID[A]

    :55.00

  • RDS (on) Typ[Ω]@10V

    :7.50

  • RDS (on) Typ[Ω]@4.5V

    :12.50

  • RDS (on) Typ[Ω]@2.5V

    :-

  • RDS (on) Typ[Ω]@1.8V

    :-

  • Ciss

    :1170.00

  • Coss

    :585.00

  • Crss

    :20.00

  • Package

    :PDFN5X6

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