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VSP009N06MS-G

MOSFET

N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充和无线充等领域。 1.VitoMOSⅡ 技术\n2.极低的Qg\n3.更低的导通损耗和开关损耗\n4.100%雪崩测试\n5.无铅电镀;符合 RoHS 标准;

Vergiga

威兆半导体

VSR5A

VIT

VIT

VSSA310S-M3/61T

VISHAY/威世
DO-214AC

VISHAY/威世

VSSAF3M10HM3/H

vishay
DO-221AC-2

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

VST10/9EE-202S2P4

TDK
SMD

技术参数

  • BVDSS[V]:

    60.00

  • BVGS[V]:

    20.00

  • Vth[V]_min:

    2.60

  • Vth[V]_max:

    3.60

  • ID[A]:

    55.00

  • RDS (on) Typ[Ω]@10V:

    7.50

  • RDS (on) Typ[Ω]@4.5V:

    12.50

  • Ciss:

    1170.00

  • Coss:

    585.00

  • Crss:

    20.00

  • Package:

    PDFN5X6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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DFN5060-8
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更多VSP009N06MS-G供应商 更新时间2025-10-7 14:01:00