VS6614GE中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VS6614GE规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、无线充等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试
5.无铅电镀；符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：VS6614GE
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：65.00
- BVGS[V]
：20.00
- Vth[V]_min
：1.40
- Vth[V]_max
：2.30
- ID[A]
：40.00
- RDS (on) Typ[Ω]@10V
：10.50
- RDS (on) Typ[Ω]@4.5V
：17.00
- RDS (on) Typ[Ω]@2.5V
：-
- RDS (on) Typ[Ω]@1.8V
：-
- Ciss
：780.00
- Coss
：375.00
- Crss
：10.00
- Package
：PDFN3333
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
Vanguard(威兆) |
2447 |
SOT-23 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
TO-251 |
100000 |
原装现货 |
询价 | ||
Vergiga Semiconductor |
20+ |
3000 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3333-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VANGUARD威兆 |
24+ |
SOT-23 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
PDFN3333 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
VANGUARD |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST |
25+ |
原厂原封 |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
