VS6613GE数据手册Vergiga中文资料规格书
VS6613GE规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.100%雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
：VS6613GE
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：60.00
- bVGS[V]
：20.00
- vth_min
：1.30
- vth_max
：2.40
- ID[A]
：46.00
- PD[W]
：31.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：8.30
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：14.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：850.00
- Coss
：310.00
- Crss
：20.00
- Qg(10V)[nC]
：21.00
- Qg(4.5V)[nC]
：12.00
- Package
：PDFN3333
- Technology
：SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vergiga Semiconductor |
23+ |
12000 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 | |||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
PDFN3333 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
威兆 |
两年内 |
NA |
120 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3333-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VANGUARD |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
威兆/VS |
1948+ |
TO-252 |
18562 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
Vergiga Semiconductor |
22+ |
12000 |
原装现货 支持实单 |
询价 | |||
Vergiga Semiconductor |
2245 |
12000 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 | |||
VANGUARD |
2022+ |
TO-252 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 |
