首页>VS6610GS-K>规格书详情
VS6610GS-K数据手册Vergiga中文资料规格书
VS6610GS-K规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于该产品可广泛应用于快充等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试
5.无铅电镀；符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：VS6610GS-K
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：60.00
- bVGS[V]
：20.00
- vth_min
：1.50
- vth_max
：2.50
- ID[A]
：15.00
- PD[W]
：3.10
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：9.00
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：13.50
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：1140.00
- Coss
：645.00
- Crss
：20.00
- Qg(10V)[nC]
：20.00
- Qg(4.5V)[nC]
：10.00
- Package
：SOP8
- Technology
：SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VANGUARD/威兆 |
24+ |
SOP8 |
56000 |
专营威兆原装正品保障 |
询价 | ||
Vergiga Semiconductor |
23+ |
12000 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 | |||
Vergiga Semiconductor |
22+ |
12000 |
原装现货 支持实单 |
询价 | |||
VANGUARD |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
SOP8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
威兆 |
两年内 |
NA |
120 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
SOP8 |
100000 |
原装现货 |
询价 | ||
VANGUARD |
2022+ |
TO-252 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Vergiga Semiconductor |
2245 |
12000 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 |
