VS6614DS中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VS6614DS规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。 该产品可广泛应用于无线充及负载开关等领域。
特性 Features
1.VitoMOSⅡ 技术
2.100% 雪崩测试
3.更低的导通损耗和开关损耗
4..无铅电镀;符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
:VS6614DS
- 生产厂家
:Vergiga
- ESD
:-
- BVDSS[V]
:65.00
- BVGS[V]
:20.00
- Vth[V]_min
:1.00
- Vth[V]_max
:2.50
- ID[A]
:10.00
- RDS (on) Typ[Ω]@10V
:12.00
- RDS (on) Typ[Ω]@4.5V
:20.00
- RDS (on) Typ[Ω]@2.5V
:-
- RDS (on) Typ[Ω]@1.8V
:-
- Ciss
:785.00
- Coss
:390.00
- Crss
:9.00
- Package
:SOP8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vergiga Semiconductor |
22+ |
12000 |
原装现货 支持实单 |
询价 | |||
ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
Vanguard(威兆) |
2447 |
SOT-23 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
VS |
23+ |
SOP-8 |
6000 |
原装热卖现货 |
询价 | ||
Vergiga Semiconductor |
2245 |
12000 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
SOP8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST |
25+ |
原厂原封 |
16900 |
原装,请咨询 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
SOP8 |
56000 |
专营威兆原装正品保障 |
询价 |