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VS-GT80DA120U数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
VS-GT80DA120U |
| 参数属性 | VS-GT80DA120U 封装/外壳为SOT-227-4，miniBLOC；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227 |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 80 A |
| 封装外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 12:00:00 |
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技术参数
- 产品编号：
VS-GT80DA120U
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列：
HEXFRED®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 配置：
单路
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.55V @ 15V，80A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装：
SOT-227
- 描述：
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VANGUARD/威兆 |
2511 |
TSOP-6 |
360000 |
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SAMWHA |
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24+ |
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Vishay |
22+ |
Reel |
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22+ |
SMD |
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NK/南科功率 |
2025+ |
SOT23-6L |
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国产 |
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Module |
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Vishay General Semiconductor - |
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