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VS-GT100DA120UF数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

厂商型号 |
VS-GT100DA120UF |
参数属性 | VS-GT100DA120UF 封装/外壳为SOT-227-4,miniBLOC;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227 |
功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 100 A |
封装外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 8:24:00 |
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VS-GT100DA120UF规格书详情
特性 Features
Trench IGBT high speed
Square RBSOA
HEXFRED® low Qrr, low switching energy
应用 Application
oDesigned for increased operating efficiency in power conversion: UPS, SMPS, welding, induction heating
oEasy to assemble and parallel
oDirect mounting on heatsink
oPlug-in compatible with other SOT-227 packages
oLow EMI, requires less snubbing
技术参数
- 产品编号:
VS-GT100DA120UF
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列:
HEXFRED®
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 配置:
单路
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.55V @ 15V,100A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商器件封装:
SOT-227
- 描述:
IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Semiconductor Diodes Di |
2022+ |
SOT-227 |
38550 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
80000 |
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Vishay Semiconductors |
24+ |
Module |
1262 |
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VISHAY |
24+/25+ |
SOT-227 |
160 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SOT-227 |
160 |
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VISHAY/威世 |
2022+ |
SOT-227 |
8000 |
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VISHAY |
23+ |
SOT-227 |
50000 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
SOT227 |
9000 |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
SOT-227-4 miniBLOC |
9350 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-227 |
25000 |
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