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VS-GT50TP60N数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
VS-GT50TP60N |
| 参数属性 | VS-GT50TP60N 封装/外壳为INT-A-PAK（3 + 4）；包装为盒；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK |
| 功能描述 | Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 50 A |
| 封装外壳 | INT-A-PAK（3 + 4） |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 9:32:00 |
| 人工找货 | VS-GT50TP60N价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VS-GT50TP60N规格书详情
特性 Features
·Low VCE(on) trench IGBT technology
·5 µs short circuit capability
·VCE(on) with positive temperature coefficient
技术参数
- 产品编号：
VS-GT50TP60N
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
盒
- IGBT 类型：
沟道
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，50A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
INT-A-PAK（3 + 4）
- 供应商器件封装：
INT-A-PAK
- 描述：
IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
INTAPAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Vishay Semiconductors |
24+ |
Module |
1262 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
SAMWHA |
23+ |
SMD |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
SAMWHA/三和 |
22+ |
SMD |
76000 |
原装现货样品可售 |
询价 | ||
Vishay General Semiconductor - |
23+ |
标准封装 |
2000 |
全新原装正品现货直销 |
询价 | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
2022+ |
INT-A-PAK |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
SOT-227-4 miniBLOC |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT23-6L |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
TSOP-6 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
