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VS-GT400TH60N数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

厂商型号 |
VS-GT400TH60N |
参数属性 | VS-GT400TH60N 封装/外壳为双 INT-A-PAK(3 + 8);包装为盒;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK |
功能描述 | Molding Type Module IGBT, 2-in-1 Package, 600 V and 400 A |
封装外壳 | 双 INT-A-PAK(3 + 8) |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 8:24:00 |
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VS-GT400TH60N规格书详情
特性 Features
·Low VCE(on) trench IGBT technology
·Low switching losses
·5 µs short circuit capability
技术参数
- 产品编号:
VS-GT400TH60N
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
盒
- IGBT 类型:
沟道
- 配置:
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.05V @ 15V,400A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
175°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
双 INT-A-PAK(3 + 8)
- 供应商器件封装:
双 INT-A-PAK
- 描述:
IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Semiconductor Diodes Di |
2022+ |
双 INT-A-PAK |
38550 |
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Vishay Semiconductors |
24+ |
Module |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
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Vishay General Semiconductor - |
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Vishay General Semiconductor - |
23+ |
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NK/南科功率 |
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VISHAY |
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A-PAK |
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