VQ1001P中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
VQ1001P
- 功能描述：
MOSFET QD 30V 0.53A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原厂原装 |
24+ |
DIP金 |
9630 |
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INTERSIL |
21+ |
CDIP14 |
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SIL |
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VQ1001P |
4 |
4 |
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B |
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CDIP |
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全新原装 研究所指定供货商 |
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SIL |
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SILICONIX |
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军工品,原装正品 |
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DG |
24+ |
DIP-14 |
100 |
询价 | |||
VISHAY |
12+ |
原厂封装 |
216 |
宇航IC只做原装假一罚十 |
询价 |
