VQ1000P中文资料PDF规格书
VQ1000P规格书详情
FEATURES
● Low On-Resistance: 2.5 Ω
● Low Threshold: 2.1 V
● Low Input Capacitance: 22 pF
● Fast Switching Speed: 7 ns
● Low Input and Output Leakage
BENEFITS
● Low Offset Voltage
● Low-Voltage Operation
● Easily Driven Without Buffer
● High-Speed Circuits
● Low Error Voltage
APPLICATIONS
● Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
● Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,
Displays, Memories, Transistors, etc.
● Battery Operated Systems
● Solid-State Relays
产品属性
- 型号：
VQ1000P
- 功能描述：
MOSFET QD 60V 0.225A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIL |
2020+ |
CDIP14 |
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SIL |
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DIP |
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