VQ1000J中文资料威世科技数据手册PDF规格书
VQ1000J规格书详情
FEATURES
● Low On-Resistance: 2.5 Ω
● Low Threshold: 2.1 V
● Low Input Capacitance: 22 pF
● Fast Switching Speed: 7 ns
● Low Input and Output Leakage
BENEFITS
● Low Offset Voltage
● Low-Voltage Operation
● Easily Driven Without Buffer
● High-Speed Circuits
● Low Error Voltage
APPLICATIONS
● Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
● Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,
Displays, Memories, Transistors, etc.
● Battery Operated Systems
● Solid-State Relays
产品属性
- 型号：
VQ1000J
- 功能描述：
MOSFET QD 60V 0.225A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILONI/矽睿科技 |
24+ |
NA/ |
3416 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
DG |
24+ |
DIP |
80000 |
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询价 | ||
SILICON/芯科 |
25+ |
DIP16 |
54658 |
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询价 | ||
SILICION |
99+ |
DIP14 |
24 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
DG |
QQ咨询 |
DIP |
824 |
全新原装 研究所指定供货商 |
询价 | ||
DG/SIL |
24+ |
DIP |
350 |
询价 | |||
SILICION |
2022+ |
DIP14 |
48000 |
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询价 | ||
VISHA |
24+ |
DIP |
600 |
原装现货假一赔十 |
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SILICON |
18+ |
DIP14 |
85600 |
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询价 | ||
SILICONIX |
24+ |
DIP-14 |
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询价 |
