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VQ1000J	文件：64.519 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ1000J	文件：51.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VQ1000J	文件：68.91 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VQ1000P	文件：51.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ1000P	文件：68.91 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
VQ1000J
功能描述：
MOSFET QD 60V 0.225A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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