首页 >VQ1000J>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

VQ1000J

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES ● Low On-Resistance: 2.5 Ω ● Low Threshold: 2.1 V ● Low Input Capacitance: 22 pF ● Fast Switching Speed: 7 ns ● Low Input and Output Leakage BENEFITS ● Low Offset Voltage ● Low-Voltage Operation ● Easily Driven Without Buffer ● High-Speed Circuits ● Low Error Voltage APPLICATI

文件:51.23 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VQ1000J

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES ● Low On-Resistance: 2.5 Ω ● Low Threshold: 2.1 V ● Low Input Capacitance: 22 pF ● Fast Switching Speed: 7 ns ● Low Input and Output Leakage BENEFITS ● Low Offset Voltage ● Low-Voltage Operation ● Easily Driven Without Buffer ● High-Speed Circuits ● Low Error Voltage APPLICATI

文件:64.519 Kbytes 页数:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VQ1000J

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:64.519 Kbytes 页数:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VQ1000J

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:64.519 Kbytes 页数:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VQ1000J

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:68.91 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VQ1000J

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Vishay

威世科技

详细参数

  • 型号:

    VQ1000J

  • 功能描述:

    MOSFET QD 60V 0.225A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SILICIO
25+
DIP14
3
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
25+
SMD
7500
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电!
询价
SILICONIX
25+
DIP14
1981
⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙
询价
DG/SIL
24+
DIP
350
询价
SILICONIX
25+
DIP-14
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!
询价
SILICON
18+
DIP14
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
询价
siliconix
05+
DIP14
14180
只做原厂原装,认准宝芯创配单专家
询价
siliconix
1902+
DIP14
2734
代理品牌
询价
VISHAY/威世
20+
DIP14
67500
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
SILICON
23+
DIP14
6000
原装正品假一罚百!可开增票!
询价
更多VQ1000J供应商 更新时间2025-10-6 13:58:00