VQ1000J数据手册Vishay中文资料规格书
技术参数
- 型号:
VQ1000J
- 功能描述:
MOSFET QD 60V 0.225A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICON/芯科 |
25+ |
DIP16 |
54658 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
SILICON |
18+ |
DIP14 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
SILICION |
21+ |
DIP14 |
2177 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
SILICONIX |
24+ |
DIP-14 |
2987 |
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SILICION |
2022+ |
DIP14 |
48000 |
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询价 | ||
24+ |
26500 |
原装现货,特价销售 |
询价 | ||||
SIL |
22+ |
AUCDIP |
12245 |
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询价 | ||
24+ |
SMD |
7500 |
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SILICON |
2450+ |
DIP |
6540 |
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询价 | ||
DG |
24+ |
DIP |
80000 |
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