| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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16年
留言
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SILDIP |
3485 |
2025+ |
全新原装、公司现货热卖 |
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4年
留言
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SILICNXDIP-14 |
8500 |
24+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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14年
留言
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SILCDIP |
1500 |
24+ |
AI芯片,车规MCU原装现货/为新能源汽车电子行业采购保驾护航 |
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14年
留言
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SILCDIP |
860 |
专业军工 |
只做原装正品现货授权货源 |
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6年
留言
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SILICNXDIP-14 |
32 |
23+ |
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16年
留言
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VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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12年
留言
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原厂14AUCDIP |
6852 |
2540+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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5年
留言
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Vishay Siliconix14DIP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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18年
留言
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VQ1001P4 |
4 |
25+ |
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11年
留言
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VISHAYCDIP |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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15年
留言
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VISHAY/威世PDIP-14 |
6895 |
2023+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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6年
留言
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INTERSILCDIP14 |
20000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
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1年
留言
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SVISHAYDIP14 |
3982 |
82+ |
全新原装现货,有单必成交 |
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17年
留言
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SILICONIDIP |
1800 |
23+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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5年
留言
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VISHAY/威世 |
200 |
2022+ |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
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11年
留言
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SILICONDIP |
6540 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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4年
留言
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SILICNXDIP-14 |
52500 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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15年
留言
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sildip |
71038 |
25+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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8年
留言
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SILICONDIP14 |
6000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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13年
留言
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SILICONDIP/16 |
7000 |
23+ |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
VQ100采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
VQ100图片
VQ1001P价格
VQ1001P价格:¥302.7024品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的VQ1001P多少钱,想知道VQ1001P价格是多少?参考价:¥302.7024。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,VQ1001P批发价格及采购报价,VQ1001P销售排行榜及行情走势,VQ1001P报价。
VQ1001J资讯
VQ1006P进口原装现货,假一罚百!
VQ1006P进口原装现货,假一罚百!
VQ1001J中文资料Alldatasheet PDF
更多VQ1000CP功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | DIP
VQ1000CY功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | SO
VQ1000J功能描述:MOSFET QD 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VQ1000P功能描述:MOSFET QD 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VQ1000P2制造商:SILICONIX 功能描述:New
VQ1000P-2制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.225A 14-Pin PDIP T/R
VQ1000P-E3功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VQ1001J功能描述:MOSFET QD 30V 0.83A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VQ1001P功能描述:MOSFET QD 30V 0.53A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VQ1001P-2制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14-Pin PDIP
































