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VQ100	文件：10.50173 Mbytes Page：212 Pages	Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology FeaturesandBenefits HighCapacity •15kto1MSystemGates •Upto144kbitsofTrueDual-PortSRAM •Upto300UserI/Os ReprogrammableFlashTechnology •130-nm,7-LayerMetal(6Copper),Flash-BasedCMOSProcess •InstantOnLevel0Support •Single-ChipSolution	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
VQ100	文件：10.50173 Mbytes Page：212 Pages	Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology FeaturesandBenefits HighCapacity •15kto1MSystemGates •Upto144kbitsofTrueDual-PortSRAM •Upto300UserI/Os ReprogrammableFlashTechnology •130-nm,7-LayerMetal(6Copper),Flash-BasedCMOSProcess •InstantOnLevel0Support •Single-ChipSolution	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
VQ100	文件：11.7473 Mbytes Page：242 Pages	ProASIC3L Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
VQ1000J	文件：64.519 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ1000J	文件：51.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ1000P	文件：64.519 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ1000P	文件：51.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ1001J	文件：51.61 Kbytes Page：5 Pages	Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs features LowOn-Resistance:0.85 LowThreshold:1.4V LowInputCapacitance:38pF FastSwitchingSpeed:9ns LowInputandOutputLeakage benefits LowOffsetVoltage Low-VoltageOperation EasilyDrivenWithoutBuffer High-SpeedCircuits LowErrorVoltage appl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ1001J_V01	文件：51.61 Kbytes Page：5 Pages	Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs features LowOn-Resistance:0.85 LowThreshold:1.4V LowInputCapacitance:38pF FastSwitchingSpeed:9ns LowInputandOutputLeakage benefits LowOffsetVoltage Low-VoltageOperation EasilyDrivenWithoutBuffer High-SpeedCircuits LowErrorVoltage appl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ1001P	文件：51.61 Kbytes Page：5 Pages	Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs features LowOn-Resistance:0.85 LowThreshold:1.4V LowInputCapacitance:38pF FastSwitchingSpeed:9ns LowInputandOutputLeakage benefits LowOffsetVoltage Low-VoltageOperation EasilyDrivenWithoutBuffer High-SpeedCircuits LowErrorVoltage appl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
VQ100
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	VQ1000N6	SI	23+	DIP	12735		询价
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深圳市一线半导体有限公司	VQ1000J	DG/SIL	24+	DIP	350		询价
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更多VQ100供应商更新时间2025-7-13 15:03:00

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