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VI30100C-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 文件：167.4 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
VI30100C-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.53 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 文件：167.4 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.53 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.53 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
TO-262 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAYHONGKONGLIMITED |
24+ |
2410 |
询价 | ||||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-262-3 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY |
13+ |
TO-262 |
1265 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 |
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