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VI30100S-E3SLASH4W	文件：168.56 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath te 文件：168.56 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VI30100S-E3SLASH4W	文件：149.97 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.97 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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更多VI30100S-E3SLASH4W供应商更新时间2025-10-9 13:01:00