Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Trench MOS Schottky technology

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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两线制 MR 环形磁微距传感器集成电路。扁平 TO-92 样式封装。增强灵敏度，典型值为 ±7 G。数字拉电流输出

VF401 是一款高性能的数字式双线 MR（磁阻）传感器，采用小型扁平式的 TO-92 塑料封装，带有电流输出端口，专为细间距环形磁铁的感测而设计。\n 独特的 VF401 桥布局（专利号 6297628 ）经过优化，允许目标和传感器之间存在较大气隙，减小传感器信号或精度的损失。\n VF401 对跑偏（传感器位置相对于环形磁铁内径或外径的漂移）的灵敏度降低。而且它对倾斜误差（与信号元件和环形磁铁平行位置的偏差）的敏感度也降低，允许误差高达 10°。而典型的环形磁铁传感器仅为 2°至 3°，并且受扭转（电桥槽相对于磁极转换与理想角度位置的偏差）的影响更小。 ·Robust design operating from -40 °C to 150 °C [-40 °F to 302 °F] can withstand short durations up to 175 °C [347 °F], allowing use in potential applications with extreme temperature requirements.\n·Not damaged by reverse polarity voltages when customer-supplied sense resistor is installed, enhancin;

Honeywell

霍尼韦尔

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual High Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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