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VF20120SG_V01	文件：126.88 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：126.88 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120SG-E3	文件：161.39 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B 文件：161.39 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120SG-E3/4W	文件：166.5 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B 文件：166.5 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120SG-E3SLASH4W	文件：166.5 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B 文件：166.5 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120S_15	文件：75.51 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：75.51 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120S-E3	文件：150.35 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：150.35 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120S-E3/4W	文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120S-E3SLASH4W	文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120SG	文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：164.09 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF20120SG	文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.88 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
VF20120S
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

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深圳市华斯顿科技有限公司	VF20120S	VISHAY原装	25+23+	TO-220F	23890	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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