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VF20120S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 2

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VF20120S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB,

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VF20120S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VF20120S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

VF20120S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per    JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in    accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge

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VF20120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per    JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in    accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge

文件:166.29 Kbytes 页数:5 Pages

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VF20120S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:162.33 Kbytes 页数:5 Pages

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VF20120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VF20120S-E3/4W

肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

Vishay

威世

VF20120S-E3/45

Package:TO-220-3 全封装,隔离接片;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

  • 型号:

    VF20120S-E3

  • 功能描述:

    肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品:

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压:

    2 V

  • 正向连续电流:

    50 mA

  • 配置:

    Crossover Quad

  • 正向电压下降:

    370 mV

  • 最大功率耗散:

    75 mW

  • 工作温度范围:

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOT-143

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Vishay/GeneralSemiconduc
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ITO-220AB
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更多VF20120S-E3供应商 更新时间2025-12-10 16:01:00