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VF20120S-E3SLASH4W	文件：166.29 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Haloge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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深圳市安富世纪电子有限公司	VF20120SG	VISHAY	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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