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VF20120S-E3SLASH4W	文件：166.29 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge 文件：166.29 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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VI20120S-E3SLASH4W	文件：166.29 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge 文件：166.29 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

更多VF20120S-E3SLASH4W供应商更新时间2025-10-7 9:02:00