VI20120S-E3SLASH4W中文资料威世数据手册PDF规格书

厂商型号	VI20120S-E3SLASH4W
功能描述	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
文件大小	166.29 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世威世科技公司
网址	网址
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更新时间	2025-12-13 23:01:00
人工找货	VI20120S-E3SLASH4W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per

JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

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