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VF20120SG-E3/4W分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

VF20120SG-E3/4W

参数属性

VF20120SG-E3/4W 封装/外壳为TO-220-3 全封装,隔离接片;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

封装外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

文件大小

166.5 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

网址

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更新时间

2025-12-8 14:36:00

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VF20120SG-E3/4W规格书详情

Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

产品属性

  • 产品编号:

    VF20120SG-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 全封装,隔离接片

  • 供应商器件封装:

    ITO-220AB

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB

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