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VEC2616	文件：929 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：929 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2616	文件：435.27 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 60V, 3A, 80m廓, ??0V, ??.5A, 137m, Complementary Dual VEC8 文件：435.27 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2616	文件：438.88 Kbytes Page：6 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：438.88 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
VEC2616	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary Power MOSFET 60V This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. • Low On-Resistance\n• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses, Reduces Heat Dissipation\n• Low-Profile Package\n• Board Space Saving\n• ESD Diode-Protected Gate\n• ESD Resistance\n• RoHS Compliance\n• Environmental Consideration\n• Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET\n• Reduced M;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2616-TL-H	文件：929 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：929 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2616-TL-H	文件：435.27 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 60V, 3A, 80m廓, ??0V, ??.5A, 137m, Complementary Dual VEC8 文件：435.27 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2616-TL-W	文件：929 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：929 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VEC2616-TL-H-Z-W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：PCH+NCH 4V DRIVE SERIES	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
3
PD Max (W)：
0.9
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
N
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
N
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
10
Ciss Typ (pF)：
505
Package Type：
SOT-28FL/VEC-8

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