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VEC2616-TL-H	文件：929 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
VEC2616-TL-H	文件：435.27 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 60V, 3A, 80m廓, ??0V, ??.5A, 137m, Complementary Dual VEC8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
VEC2616-TL-H-Z-W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：PCH+NCH 4V DRIVE SERIES	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2616	文件：135.82 Kbytes Page：2 Pages	SMDRFManualTunableInductor	YANTELYantel Corporation 研通高频深圳市研通高频技术有限公司
2616	文件：98.59 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor 16(19/.0117)AWG10Nickel PlatedCopper 0.056 b)Insulation0.007Wall,Nom.FLUOROPLASTIC0.070+/-0.002 (1)TintColor(s) WHITE,BLACK,RED,GREEN,YELLOW,BLUE,BROWN ORANGE	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
2616	文件：136.28 Kbytes Page：1 Pages	HalogenandPhosphorus-Free94V-0HolePlugs	Heyco Heyco
BU2616	文件：108.85 Kbytes Page：5 Pages	PLLfrequencysynthesizerfortuners BU2616FPLLfrequencysynthesizersworkupthroughtheFMband. Featuringlowpowerdissipationandhighlysensitivebuilt-inRFamps,theydetectintermediatefrequencies. Features 1)Built-inhigh-speedprescalercandivide130MHzVCO. 2)Lowcurrentdissipation(duringoperation:6	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BU2616F	文件：108.85 Kbytes Page：5 Pages	PLLfrequencysynthesizerfortuners BU2616FPLLfrequencysynthesizersworkupthroughtheFMband. Featuringlowpowerdissipationandhighlysensitivebuilt-inRFamps,theydetectintermediatefrequencies. Features 1)Built-inhigh-speedprescalercandivide130MHzVCO. 2)Lowcurrentdissipation(duringoperation:6	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
DG2616	文件：151.8 Kbytes Page：9 Pages	LowVoltage,DualSPDTAnalogSwitchwithChargePump	VishayVishay Siliconix 威世科技
DG2616	文件：161.65 Kbytes Page：10 Pages	LowVoltage,DualSPDTAnalogSwitchwithChargePump FEATURES •Lowvoltageoperation(1.5Vto3.6V) •Lowon-resistance-RON:4.2Ωtyp.at2.7V •Fastswitching:tON=39ns tOFF=8ns •DFN-10package BENEFITS •Reducedpowerconsumption •Highaccuracy •Reduceboardspace •TTL/1.8Vlogiccompatible •Highbandwidth APPLIC	VishayVishay Siliconix 威世科技
FWPQ2616	文件：3.23955 Mbytes Page：1 Pages	FlatWireSMDPowerInductor	ALLIED Allied Components International
GKN2616	文件：602.86 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
GKN2616	文件：589.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
GKR2616	文件：589.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
GKR2616	文件：603.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
ILA2616	文件：119.9 Kbytes Page：3 Pages	2X12WHI-FIAUDIOPOWERAMPLIFIERSWITHMUTE	INTEGRAL Integral Corp.
KKA2616	文件：113.83 Kbytes Page：3 Pages	2x12WHi-FiAudioPowerAmplifierswithMute	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团
LA2616V	文件：247.05 Kbytes Page：6 Pages	AnalogSurroundIC Overview TheLA2616VissoundfieldplaybackprocessingICsforuseinaudioequipment,TVs,andPCs. TheseICsallowequipmenttoeasilyreproduceaspatialrealisticsoundfieldfromastereosignalfromamusic,video,orotheraudiosource. Features •Supportsawideoperatingsupplyvolta	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
LTC2616	文件：285.41 Kbytes Page：24 Pages	DualCurrentOutput12-/14-/16-BitSoftSpanDACswithParallelI/O	LINERLinear Technology 线性技术公司
LTC2616	文件：310.64 Kbytes Page：20 Pages	16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 线性技术公司

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详细参数

型号：
VEC2616-TL-H
功能描述：
MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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