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VBT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package

文件:161.6 Kbytes 页数:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VBT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA packa

文件:202.16 Kbytes 页数:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VBT10200C-E3

Schotty Barrier Diode

FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter

文件:315.58 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

VBT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:151.68 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VBT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世科技

VBT10200C-E3-4W

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package

文件:145.78 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VBT10200C-E3-8W

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package

文件:145.78 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VBT10200C-E3/4W

肖特基二极管与整流器 10A 200V TrenchMOS

Vishay

威世科技

VBT10200C-E3/8W

肖特基二极管与整流器 10A 200V TrenchMOS

Vishay

威世科技

VBT10200C-E3/4W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

  • 型号:

    VBT10200C-E3

  • 功能描述:

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO263AB

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> 二极管,整流器 - 阵列

  • 系列:

    TMBS®

  • 其它有关文件:

    STTH10LCD06C View All Specifications

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    - 电压 - 在 If

  • 时为正向(Vf)(最大):

    2V @ 5A 电流 - 在 Vr

  • 时反向漏电:

    1µA @ 600V 电流 -

  • 平均整流(Io)(每个二极管):

    5A 电压

  • -(Vr)(最大):

    600V

  • 反向恢复时间(trr):

    50ns

  • 二极管类型:

    标准

  • 速度:

    快速恢复 = 200mA(Io)

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

  • 供应商设备封装:

    D2PAK

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1553(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    497-10107-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
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原装正品,支持实单
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100000
代理渠道/只做原装/可含税
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更多VBT10200C-E3供应商 更新时间2025-10-5 15:01:00