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VBT10200C-E3-8W	文件：145.78 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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VBT10200C-E3-8W

文件：145.78 Kbytes

Page：5 Pages

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

详细参数

型号：
VBT10200C-E3-8W
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VBT10200C-E3-8W供应商更新时间2024-5-11 11:00:00

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