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VBA1203M	文件：586.36 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1203M	文件：574.93 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1203M_V01	文件：586.36 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1203M	文件：576.17 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1203M	文件：587.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBFB1203M	文件：536.05 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBL1203M	文件：721.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1203	文件：458.97 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1203M	文件：458.97 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1203M	文件：524.75 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •DT-TrenchPowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	VBA1203M	VBsemi(台湾微碧)	2447	SO-8	105000	4000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	VBA1203M		24+	N/A	48000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
上海金庆电子技术有限公司	VBA-120-ALA	ATCDiversifiedElectronic	新		6	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	VBA-120-ALA	ATC Diversified Electronics	2022+		2	全新原装货期两周	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	VBA1210	VBSEMI台湾微碧	23+	SO-8	22820	原装正品，支持实单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	VBA1310S	VBSEMI	23+	SOIC-8	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
北京天阳诚业科贸有限公司	VBA165R04	VBSEMI	24+	con	35960	查现货到京北通宇商城	询价
深圳市一线半导体有限公司	VBA2021P	ST	24+	DIP-14	251		询价

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