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VBA165R04	文件：804.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：804.59 Kbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBA165R04	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Vbsemi 微碧半导体	Vbsemi
VBE165R04	文件：740.69 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：740.69 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE165R04	文件：787.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：787.32 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBFB165R04	文件：749.57 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：749.57 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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