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VBA1302	文件：398.13 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Gen II • Ultra Low On-Resistance Using High Density TrenchFET Power MOSFET Technology APPLICATIONS • Synchronous Buck Low-Side - Notebook - Server - Workstation • Synchronous Rectifier-POL 文件：398.13 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBA1302	文件：594.18 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：594.18 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBA1302_V01	文件：398.13 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Gen II • Ultra Low On-Resistance Using High Density TrenchFET Power MOSFET Technology APPLICATIONS • Synchronous Buck Low-Side - Notebook - Server - Workstation • Synchronous Rectifier-POL 文件：398.13 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1302	文件：559.38 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：559.38 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBM1302	文件：617.03 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：617.03 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
WCS1302	文件：404.82 Kbytes Page：4 Pages	Hall Effect Base Current Switch 文件：404.82 Kbytes 页数：4 Pages	WINSON 育升半导体	WINSON

更多VBA1302供应商更新时间2026-3-31 15:01:00