V8PM6中文资料High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 4 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V8PM6 |
| 参数属性 | V8PM6 封装/外壳为TO-277，3-PowerDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：8A, 60V, SMPC TRENCH SKY RECT. |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 4 A |
| 封装外壳 | TO-277，3-PowerDFN |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 14:36:00 |
| 人工找货 | V8PM6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V8PM6规格书详情
特性 Features
Very low profile - typical height of 1.1 mm
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
应用 Application
For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号：
V8PM63HM3/I
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
4.3A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
1460pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
- 供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
- 描述：
8A, 60V, SMPC TRENCH SKY RECT.
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POWER |
24+ |
TO-220 |
15000 |
原装正品/假一罚十/支持样品/可开发票 |
询价 | ||
LITTLEFUSE |
24+ |
原厂原封 |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
LITTELFUSE/力特 |
2018+ |
DIP |
88000 |
原装现货 |
询价 | ||
LITTELFUSEINC |
21+ |
NA |
5425 |
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询价 | ||
LITTELFUSE |
20+ |
电路保护 |
6985 |
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询价 | ||
LITTELFUSE/力特 |
23+ |
11200 |
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询价 | |||
A |
24+ |
b |
4 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
46000 |
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询价 | |||
POWER INTEGRATIONS/帕沃英蒂格 |
25+ |
TO-220 |
860000 |
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询价 | ||
POWER INTEGRATIONS/帕沃英蒂格 |
25+ |
TO-220 |
8880 |
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询价 |
