V8PL6-M3数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
V8PL6-M3 |
参数属性 | V8PL6-M3 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 60V 4.3A TO277A |
功能描述 | High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A |
封装外壳 | TO-277,3-PowerDFN |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
原厂标识 | Vishay |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 20:00:00 |
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V8PL6-M3规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
Very low profile - typical height of 1.1 mm
Ideal for automated placement
Trench MOS Schottky technology
应用 Application
For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号:
V8PL6-M3/87A
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
eSMP®, TMBS®
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
4.3A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-277,3-PowerDFN
- 供应商器件封装:
TO-277A(SMPC)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 60V 4.3A TO277A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-277A(SMPC) |
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GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY) |
23+ |
原厂原封 |
6000 |
订货1周 原装正品 |
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VISHAY/威世 |
2450+ |
SMD |
6540 |
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Vishay |
23+ |
集成电路(IC) |
5864 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-277A(SMPC) |
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VISHAY(威世) |
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TO277 |
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Vishay(威世) |
24+ |
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11800 |
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Vishay(威世) |
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