V8P10数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
V8P10 |
参数属性 | V8P10 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A |
功能描述 | High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.466 V at IF = 4A |
封装外壳 | TO-277,3-PowerDFN |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 17:09:00 |
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V8P10规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
Very low profile - typical height of 1.1 mm
Ideal for automated placement
Trench MOS Schottky technology
应用 Application
For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号:
V8P10-E3/87A
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
eSMP®, TMBS®
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
8A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-277,3-PowerDFN
- 供应商器件封装:
TO-277A(SMPC)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-277A-3 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
19+ |
TO-277A(SMPC) |
200000 |
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VISHAY/威世 |
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