V8KM60DU中文资料High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 2 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V8KM60DU |
| 参数属性 | V8KM60DU 封装/外壳为8-PowerTDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE SCHOTTKY 60V 8A FLATPAK |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 2 A |
| 封装外壳 | 8-PowerTDFN |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 20:00:00 |
| 人工找货 | V8KM60DU价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V8KM60DU规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in low voltage high frequency DC/DC converters, freewheeling diodes, and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号：
V8KM60DUHM3/I
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管配置：
2 个独立式
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
8A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：
FlatPAK 5x6（双）
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 60V 8A FLATPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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