V8P12中文资料High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 4 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V8P12 |
| 参数属性 | V8P12 封装/外壳为TO-277，3-PowerDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 4 A |
| 封装外壳 | TO-277，3-PowerDFN |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 22:59:00 |
| 人工找货 | V8P12价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V8P12规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
Very low profile - typical height of 1.1 mm
Ideal for automated placement
Trench MOS Schottky technology
应用 Application
For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号：
V8P12HM3_A/I
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
8A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
- 供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
13550 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-277A |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-277 |
20300 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
21+ |
2019PB |
880000 |
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VISHAY |
25+23+ |
TO-277A(S |
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VISHAY |
原厂封装 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
TO-277A(SMPC) |
28000 |
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