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V8P12	文件：99.73 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - A 文件：99.73 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V8P12	文件：91.76 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：91.76 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V8P12	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 4 A 分立 Very low profile - typical height of 1.1 mm\nIdeal for automated placement\nTrench MOS Schottky technology;	Vishay 威世科技	Vishay
V8P12_V01	文件：99.73 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - A 文件：99.73 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V8P12_15	文件：84.49 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：84.49 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V8P12_15	文件：88.34 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：88.34 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V8P12HM3-86A	文件：91.76 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：91.76 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
V8P12
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多V8P12供应商更新时间2025-10-8 11:18:00

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