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V40DM100C	文件：111.36 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：111.36 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40DM100C_V01	文件：111.36 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：111.36 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40DM100CHM3SLASHI	文件：110.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5.0 A • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - Automotive 文件：110.72 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40DM100C-M3SLASHI	文件：110.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5.0 A • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - Automotive 文件：110.72 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40DM120C	文件：124.09 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：124.09 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40DM120C_V01	文件：124.09 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：124.09 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40DM150C	文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：112.31 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40DM150C_V01	文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：112.31 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40DM150CHM3SLASHI	文件：111.67 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - Automotive 文件：111.67 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40DM150C-M3SLASHI	文件：111.67 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - Automotive 文件：111.67 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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技术参数

VCC (V)：
1.65 - 5.5
Logic switching levels：
CMOS/LVTTL
Output drive capability (mA)：
± 32
fmax (MHz)：
175
Nr of bits：
2
Power dissipation considerations：
low
Tamb (°C)：
-40~125
Rth(j-a) (K/W)：
339
Rth(j-c) (K/W)：
166
Package name：
XSON8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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